Program školy růstu krystalů 2008
| Pondělí, 1. září 2008 | |
| 13.30 - 13.40 | ZAHÁJENÍ |
| 13.40 - 14.40 | Růst polovodičových heterostruktur metodou organokovové epitaxe z plynné fáze
Eduard Hulicius (Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Praha) |
| 14.40 - 15.40 | Nízkoteplotní plazmová depozice tenkých vrstev
Zdeněk Hubička (Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Praha) |
| 15.40 - 16.00 | Přestávka
|
| 16.00 - 17.00 | Příprava diamantových vrstev v mikrovlnném plazmatu Alexander Kromka, Jiří Potměšil, Milan Vaněček (Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Praha) |
| Úterý, 2. září 2008 | |
| 08.30 - 09.30 | Růst krystalů
Karel Nitsch (Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Praha) |
| 09.30 - 10.30 | Technologie MBE - epitaxe z molekulárních svazků v polovodičovém výzkumu
Miroslav Cukr (Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Praha) |
| 10.30 - 10.50 | Přestávka
|
| 10.50 - 11.50 | Epitaxní růst z kapalné fáze
Dušan Nohavica (Ústav fotoniky a elektroniky, Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Praha) |